亚洲晶圆代工龙头和存储厂商正在显著增加2026年投资规模。譬如,台积电今年资本支出将达到520亿至560亿美元(现汇率约合3595.83亿至3872.43亿元人民币)的历史新高,同比增长27%至37%。其中约70%至80%用于先进制程,其余用于特殊制程和先进封装。中芯国际也保持高水平投资,其资本支出规模几乎与全年营收相当,重点用于本土产能建设。预计该公司2026年的资本支出将与2025年基本持平,仍将保持在80亿美元(现汇率约合553.2亿元人民币)以上。与此同时,三星电子和SK海力士也在加大投资力度。TrendForce预计,三星电子2026年资本支出将同比增长约3.7%,SK海力士可能提高约24%。两家公司都在扩大产能,新增产能主要用于HBM高带宽存储。三星计划在2026年将DRAM产量提高约20%,重点依托平泽P4工厂,并主要生产10nm级第六代(1C)DRAM,以配合HBM4需求。SK海力士方面,EBN称其清州M15X工厂已完成准备,大部分新增产能预计将用于HBM生产。消息称SK海力士已经上调1CDRAM扩产计划。业内预计到2027年第一季度末,其月产能可能达到17万至20万片,接近原定目标的两倍。NAND领域,铠侠与闪迪的联盟也成为扩产最激进的力量之一。预计该合资项目2026年资本支出增长约40%。值得注意的是,这轮投资潮也蔓延到二线存储厂商。例如,华邦电子计划在2026年投入421亿新台币(现汇率约合93亿元人民币),接近去年的八倍。华邦电子主要生产用于各类设备存储源代码NOR闪存芯片,以及定制化旧制程DRAM,预计2026年第一季度平均售价将上涨30%以上。全球第五大DRAM厂商南亚科技也宣布大幅提高投资规模。在经历近三年的行业低迷后,其将2026年资本支出提高到此前水平的两倍以上。据悉,南亚科技已经公布500亿新台币的资本支出预算,新工厂预计将在2028年上半年达到每月2万片晶圆产能。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。
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