[XM官网]美光 HBM4 增产进展顺利，HBM4E 计划明年启动大规模生产

当地时间5月20日，美光科技全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚在摩根大通投资者会议上表示，美光HBM4的量产爬坡速度，已经达到去年12层HBM3E产品的约两倍，良率提升速度也更快。据亚汇网了解，HBM4主要面向英伟达VeraRubinAI计算平台。美光表示，HBM4量产提速主要有三个原因。首先，是此前量产HBM3与12层HBM3E过程中积累的经验与学习效应。其次，HBM4核心裸片采用了美光10纳米级第五代1-beta（1β）工艺。美光表示，1β目前已经是公司主力工艺，并且在性能和良率方面证明了稳定性。第三，则是美光内部优化的基础裸片设计。美光表示，1βDRAM搭配自主制造的基础裸片后，能够进一步提升产品质量与性能。不过，从下一代HBM4E开始，美光将调整部分生产策略。HBM4E核心裸片将改用10纳米级第六代1-gamma（1γ）工艺制造。该工艺对应三星电子和SK海力士的第六代10纳米级1c工艺，同时也是美光首次采用ASML极紫外光刻设备的工艺节点。另外，HBM4E的基础裸片未来将不再由美光自行生产，而是改由台积电代工。巴蒂亚表示，目前HBM4E开发进展顺利，美光预计明年启动量产。首批产品将采用JEDEC标准，同时美光也在开发针对客户需求定制的版本。虽然定制产品成本会高于标准版，但美光认为，凭借更高性能和更多功能，市场需求仍会非常强劲。三星电子和SK海力士目前也正在推进HBM4E开发。三星电子计划于今年第二季度提供首批HBM4E样品，基础裸片将由三星晶圆代工部门采用与HBM4相同的4纳米工艺制造。SK海力士则计划于今年下半年向客户提供HBM4E样品，并在明年开始量产。SK海力士未来仍将由台积电负责基础裸片生产，据称将采用3纳米工艺。美光同时预计，到今年年中，基于1γ工艺生产的DRAM以及第九代NAND闪存产品，将占公司总位元出货量的一半以上。其中，1γDRAM预计还将成为美光晶圆产量规模最大的单一DRAM工艺节点。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。