[XM官网]年产 1533 亿 Gb DRAM 内存芯片，三星越南首座半导体测试工厂有望明年投产

感谢亚汇网网友斯文当不了饭吃、江山已旧、不一样的体验、该工厂选址位于河内以北约60公里的太原省（ThaiNguyen）工业园，落地后将成为三星在越南的首座芯片测试厂。落地规划方面，消息称该工厂已动工建设，目标在2027年11月投产。路透社记者实地看到，现场已有大量施工车辆与工人作业。一名知情人士称，自至少2026年4月起，已有200多名三星工程师和员工在项目现场工作。产能规划方面，消息称工厂将聚焦DRAM（动态随机存取存储器）和NAND（闪存）两类存储芯片测试。提案文件显示，工厂年产能可达1533亿GbDRAM芯片，以及2556亿GbNAND芯片。虽然成熟芯片在AI供应链中的关键性低于高端AI芯片，但由于主要厂商把更多产能转向AI相关芯片，成熟存储芯片同样面临明显短缺。当前强劲的存储需求已压缩智能手机、笔记本电脑和汽车等行业的芯片供应空间。三星新增测试产能，虽属于后道环节，却仍能在芯片交付链条中补上关键一环，帮助提升成熟存储芯片的出货效率与供应稳定性。广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。