[XM官网]密度与 10nm SRAM 相当：CEA-Leti 开发 22nm FeRAM 关键电容技术

该技术可让FeRAM在22nm节点实现2.5倍于标准SRAM的存储密度，直逼10nmSRAM。而作为一款非易失性存储器，FeRAM又无需像DRAM那样频繁刷新数据，降低了端侧设备的运行能耗。CEA-Leti表示，FeRAM的整体尺寸更大程度上取决于电容器而非选择晶体管，传统FeRAM中的平面电容器结构限制了器件的小型化。该机构为此在第三维度展开探索，通过垂直电容器设计缩小了面积占用。▲4:1低深宽比方案CEA-Leti在VLSI2026展示了2种22nm3D铁电电容器后端集成方案，其中4:1低深宽比方案实现了0.047μm?的位单元面积，而17:1高深宽比方案的位单元面积进一步缩减至0.0028μm?。该机构也证实后者不存在常见的“唤醒”（初期循环中表现不稳定）问题。▲17:1高深宽比方案广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。