[XM官网]消息称三星 HBM 基础裸片将推进 2nm 尖端工艺，延续自研 4nm HBM4 路线

据业内人士消息，三星的这条生产线将采用2nm尖端制程工艺，预计将在两年后投入使用，因此未来仍存在调整的可能性。HBM的基础裸片一直在不断升级，首次出现重大变化是在HBM3和HBM3E时代。随着数据传输速率相比前几代产品大幅提升，各大厂商开始使用晶圆代工厂的制程工艺制造基础裸片，采用20nm到12nm不等的逻辑制程。而HBM4由于采用了性能更强的总线和更多硅通孔（亚汇网注：TSV），基础裸片将进一步升级，台积电和三星晶圆代工等厂商开始承担HBM基础裸片的制造工作。除了三星之外，SK海力士也将与晶圆代工厂合作生产HBM芯片。该公司已经与台积电展开合作，后者可以提供成熟的N12工艺以及先进的N5工艺，用于制造HBM相关芯片。